4H polo-izolačná doska SiC

Polo{0}}izolačné substráty SiC ponúkajú vysoký odpor a vynikajúce tepelné vlastnosti, vďaka čomu sú vhodné pre heteroepitaxiálny rast GaN a vysokofrekvenčné polovodičové aplikácie s vysokou{1}}frekvenciou. Ako vysoký-výkonSiC substrátje široko používaný pre zariadenia založené na HEMT-v pokročilých komunikačných systémoch vrátane infraštruktúry 5G.

Tieto polo{0}}izolačnéSiC doštičkytiež poskytujú vynikajúce optické a materiálové vlastnosti a podporujú vznikajúce aplikácie v optoelektronike a nositeľnej elektronike. 12-palcové substráty SiC ponúkajú potenciál pre aplikácie ďalšej{1}}generácie, ako sú okuliare AR a ďalšie pokročilé optické zariadenia.

 

6-palcový
Priemer	150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientácia povrchu	{0001}±0,2 stupňa
Primárna orientácia bytu	/
Vedľajšia orientácia bytu	/
Primárna plochá dĺžka	Zárez
Sekundárna plochá dĺžka	žiadne
Orientácia zárezu	<1100>±1,0 stupňa
Hĺbka zárezu	Žiadne 1 mm+0.25 mm/-0 mm od okraja
Uhol zárezu	90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň
Hrúbka	500,0 um ± 25,0 um
Typ	Polo{0}}izolačné

 

 

 

8-palcový
Priemer	200,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientácia povrchu	{0001}±0,2 stupňa
Primárna orientácia bytu	/
Vedľajšia orientácia bytu	/
Primárna plochá dĺžka	Zárez
Sekundárna plochá dĺžka	žiadne
Orientácia zárezu	<1100>±1,0 stupňa
Hĺbka zárezu	Žiadne 1 mm+0.25 mm/-0 mm od okraja
Uhol zárezu	90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň
Hrúbka	500,0 um ± 25,0 um
Typ	Polo{0}}izolačné

 

 

12-palcový
Priemer	300,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientácia povrchu	{0001}±0,5 stupňa
Primárna orientácia bytu	/
Vedľajšia orientácia bytu	/
Primárna plochá dĺžka	Zárez
Sekundárna plochá dĺžka	žiadne
Orientácia zárezu	<1100>±5,0 stupňa
Hĺbka zárezu	Žiadne 1 mm+0.25 mm/-0 mm od okraja
Uhol zárezu	90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň
Hrúbka	750,0 um ± 25,0 um
Typ	Polo{0}}izolačné