Predstavenie produktov
Substráty SiC typu P- sú navrhnuté pre homoepitaxiálny rast a vývoj ultra-vysoko{2}}napäťových výkonových polovodičových zariadení. Tento vysoký-výkon má vynikajúce elektrické a tepelné vlastnostiSiC substrátje vhodný pre náročné aplikácie s vysokým{0}}výkonom vrátane ultra-vysoko{2}}napäťového prenosu energie a infraštruktúry inteligentných sietí.
Tieto P-typySiC doštičkypodporuje aj aplikácie v železničnej doprave, priemyselných energetických systémoch a iných{0}}elektrických zariadeniach s vysokým výkonom, kde sa vyžaduje vysoká-napäťová schopnosť, spoľahlivosť a efektívna konverzia energie.
Špecifikácie
| 6-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | 47,5 mm ± 1,5 mm |
| Primárna orientácia bytu | <1120>±5,0 stupňa |
| Orientácia zárezu | / |
| Uhol zárezu | / |
| Hĺbka zárezu | / |
| Hrúbka | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | p-typ |
| 8-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | Zárez |
| Primárna orientácia bytu | / |
| Orientácia zárezu | <1100>±1,0 stupňa |
| Uhol zárezu | 90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň |
| Hĺbka zárezu | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Hrúbka | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | p-typ |
| 12-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 300,0 mm ± 0,5 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | Zárez |
| Primárna orientácia bytu | / |
| Orientácia zárezu | <1100>±5,0 stupňa |
| Uhol zárezu | 90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň |
| Hĺbka zárezu | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Hrúbka | 750,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | p-typ |
Certifikát
Populárne Tagy: 4H P-Typ SiC doštičky, Čína, dodávatelia, výrobcovia, továreň, vyrobené v Číne
