Predstavenie produktov
Substráty SiC typu N- sú navrhnuté pre homoepitaxiálny rast v pokročilej výrobe výkonových polovodičov. S vynikajúcim elektrickým a tepelným výkonom, tento vysoký-výkonSiC substrátje vhodný pre-aplikácie s vysokým výkonom v elektrických vozidlách, fotovoltaických systémoch, veternej energii a iných nových energetických technológiách.
Produktový rad zahŕňa 6-palcové a 8-palcovéSiC doštičkypre sériovú výrobu a globálne dodávky, s 12- palcovou kapacitou výroby substrátu, ktorá je k dispozícii pre aplikácie výkonových polovodičov novej generácie.
Špecifikácie
| 6-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | 47,5 mm ± 1,5 mm |
| Primárna orientácia bytu | <1120>±1,0 stupňa |
| Orientácia zárezu | / |
| Uhol zárezu | / |
| Hĺbka zárezu | / |
| Sekundárny byt | N/A |
| Hrúbka | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | n-typ |
| 8-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 200,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | Zárez |
| Primárna orientácia bytu | / |
| Orientácia zárezu | <1100>±1,0 stupňa |
| Uhol zárezu | 90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň |
| Hĺbka zárezu | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Sekundárny byt | N/A |
| Hrúbka | 500,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | n-typ |
| 12-palcový | |
|---|---|
| Priemer | 300,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientácia povrchu | 4 stupne smerom<1120>±0,5 stupňa |
| Primárna plochá dĺžka | Zárez |
| Primárna orientácia bytu | / |
| Orientácia zárezu | <1100>±5,0 stupňa |
| Uhol zárezu | 90 stupňov +5 stupeň /-1 stupeň |
| Hĺbka zárezu | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Sekundárny byt | N/A |
| Hrúbka | 750,0 um ± 25,0 um |
| Polytyp | 4H |
| Typ | n-typ |
Certifikát
Populárne Tagy: 4h n-typ sic substrát, Čína, dodávatelia, výrobcovia, továreň, vyrobené v Číne
