Monokryštalický kremíkový doštičkový špecifikácia n-type M10

Monokryštalický kremíkový doštičkový špecifikácia n-type M10

Táto špecifikácia definuje monokryštalické kremíkové doštičky typu N (veľkosť M10) pre pokročilé solárne články. Produkované metódou Czochralski s dopingom fosforu, doštičky majú nízku koncentráciu kyslíka (až do 8E17 AT/cm³), nízka koncentrácia uhlíka (do 5E16 AT/cm³), hustota pity na 500 cm⁻² a presná povrchová orientácia v rámci 3 stupňov od 3 stupňov z<100>.Key Elektrické vlastnosti zahŕňajú rozsah odporu 1,0 až 7,0 Ω.cm a životnosť nosiča s vysokou menšinou (minimálne 1 000 μs). Wafery majú optimalizovanú pseudo-štvorcovú geometriu s dĺžkou bočnej dĺžky 182 mm (tolerancia 0,25 mm), priemer 247 mm (tolerancia 0,25 mm) a susedné strany (tolerancia 0,25 mm) a susedné strany (tolerancia 0,25 mm) a susedné strany. stupne). K dispozícii v hrúbke od 150 do 180 μm (s toleranciami), zabezpečujú zmenu minimálnej hrúbky (maximálne 27 μm TTV). Kvalita povrchu je prísne kontrolovaná („ako rezaná a čistá“), zakazuje kontamináciu a mikro-kracky, s limitmi na značkách píly (maximálne 15 μm), lukom a osnovou (maximálne 40 μm). Tento veľký formát podporuje posun odvetvia smerom k optimalizovanému zachytávaniu svetla.
Share to
Zaslať požiadavku
Chat teraz
Popis
Technické parametre

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Táto špecifikácia definuje monokryštalické kremíkové doštičky typu N (veľkosť M10) pre pokročilé solárne články. Produkované metódou Czochralski s dopingom fosforu, doštičky majú nízku koncentráciu kyslíka (až do 8E17 AT/cm³), nízka koncentrácia uhlíka (do 5E16 AT/cm³), hustota pity na 500 cm⁻² a presná povrchová orientácia v rámci 3 stupňov od 3 stupňov z<100>.

 

Kľúčové elektrické vlastnosti zahŕňajú rozsah odporu 1,0 až 7,0 Ω.cm a životnosť nosiča s vysokou menšinou (minimálne 1 000 μs).

Doštičky majú optimalizovanú pseudo-kvadrát geometriu s dĺžkou bočnej dĺžky 182 mm (tolerancia 0,25 mm), priemer 247 mm (tolerancia 0,25 mm) a susedné strany pri 90 stupňoch (tolerancia 0,2 stupňa). K dispozícii v hrúbke od 150 do 180 μm (s toleranciami), zabezpečujú zmenu minimálnej hrúbky (maximálne 27 μm TTV). Kvalita povrchu je prísne kontrolovaná („ako rezaná a čistá“), zakazuje kontamináciu a mikro-kracky, s limitmi na značkách píly (maximálne 15 μm), lukom a osnovou (maximálne 40 μm). Tento veľký formát podporuje posun odvetvia smerom k optimalizovanému zachytávaniu svetla.

 

 

1. Vlastnosti materiálu

 

Majetok

Špecifikácia

Inšpekčná metóda

Metóda rastu

Cz

 

Kryštalinita

Monokryštalický

Preferenčné techniky leptania(ASTM F47-88)

Typ vodivosti

N-typ

Napson EC-80TPN

Dopustený

Fosfor

-

Koncentrácia kyslíka [OI]

Menej alebo rovné8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Koncentrácia uhlíka [CS]

Menej alebo rovné5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Hustota Etch Pit (hustota dislokácie)

Menej alebo rovné500 cm-2

Preferenčné techniky leptania(ASTM F47-88)

Orientácia povrchu

<100>± 3 stupňa

Metóda rôntgenovej difrakcie (ASTM F26-1987)

Orientácia pseudo štvorcových strán

<010>,<001>± 3 stupňa

Metóda rôntgenovej difrakcie (ASTM F26-1987)

 

2. Elektrické vlastnosti

 

Majetok

Špecifikácia

Inšpekčná metóda

Odpor

1,0-7,0 Ω.cm

Inšpekčný systém

MCLT (životnosť menšinového nosiča)

Väčší alebo rovný 1000 µ

Sinton BCT-400
Prechodný
(S úrovňou vstrekovania: 5E14 cm-3)

 

3. Geometria

 

Majetok

Špecifikácia

Inšpekčná metóda

Geometria

pseudo štvorec

 
Tvar hranky
zaokrúhliť  

Dĺžka strany

182 ± 0,25 mm

inšpekčný systém

Priemer

φ247 ± 0,25 mm

inšpekčný systém

Uhol medzi susednými stranami

90 stupňov ± 0,2 stupňa

inšpekčný systém

Hrúbka

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
inšpekčný systém

TTV (zmena celkovej hrúbky)

Menej alebo rovné 27 µm

inšpekčný systém

 

 

N-Type M10 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Povrchové vlastnosti

 

Majetok

Špecifikácia

Inšpekčná metóda

Strih

Dw

--

Kvalita povrchu

Ako rezané a čisté, žiadna viditeľná kontaminácia (olej alebo tuk, prsty, škvrny na mydle, škvrny na kalu, epoxidové/lepiace škvrny nie sú povolené)

inšpekčný systém

Známky / kroky

Menej ako alebo rovná 15 µm

inšpekčný systém

Klonovať sa

Menej ako 40 µm

inšpekčný systém

Deformácia

Menej ako 40 µm

inšpekčný systém

Triesok

hĺbka menšia alebo rovná 0,3 mm a dĺžka menšia alebo rovná 0,5 mm max 2/ks; Žiadny v čipe

Belené oči alebo systém kontroly oblátok

Mikro praskliny / otvory

Nie povolený

inšpekčný systém

 

 

 

Populárne Tagy: Monokryštalický kremíkový doštičkový oblátk, Čína, dodávatelia, výrobcovia, továreň, vyrobené v Číne

Zaslať požiadavku
Zaslať požiadavku