Silikónový solárny článok typu N

Silicon Heterojunction Technology (HJT) je založená na žiaričovom a zadnom povrchovom poli (BSF), ktoré sú produkované nízkoteplotným rastom ultra-tenkých vrstiev amorfného kremíka (a-Si:H) na oboch

210 mm solárny článok M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) má účinnosť 24,4 percent a menovitý výkon 10,76 W na článok.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) je založená na žiaričovom a zadnom povrchovom poli (BSF), ktoré vznikajú nízkoteplotným rastom ultratenkých vrstiev amorfného kremíka (a-Si:H) na oboch

Technológia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) zvyšuje účinnosť solárnych článkov typu N až o 25 percent. Priemyselný 210 mm solárny článok TOPCon má maximálnu účinnosť 24,4 percent a menovitý

Technológia TOPCON (tunel oxidovaný pasivovaným kontaktom) zvyšuje účinnosť solárnych článkov typu N až o 24,5%. Monokryštalický typ N 182 mm solárny článok TOPCon má menovitý výkon 8,08 W a účinnosť

Vylepšená technológiou TOPCON (tunelový oxid pasivovaný kontakt) v kombinácii s priechodnou vrstvou AlOx / SiNx zvyšuje účinnosť solárnych článkov typu N až o 24,4%.Monokryštalický solárny článok

Kremíkové solárne články typu N Mono bifacial PERT (pasivované emitorové zadné časti úplne rozptýlené) majú vysokú a stabilizovanú účinnosť premeny. Bifacial PERT solárne články typu N je možné

Monofifaciálny PERT (pasivovaný emitor zadný úplne difúzny) kremíkové solárne články majú vysokú a stabilizovanú účinnosť konverzie.Kremíkové solárne články typu N sa považujú za sľubné alternatívy k

V štruktúre buniek s interdigitovaným spätným kontaktom (IBC) sú emitor aj kontakt na zadnej strane doštičky, čo umožňuje nezávislú optimalizáciu predného povrchu pre optické vlastnosti a zadný

Kremíkové solárne články typu N Mono bifacial PERT (pasívne vyžarované zadné časti úplne rozptýlené) majú vysokú a stabilizovanú účinnosť premeny. Kremíkové solárne články typu N sú považované za